반도체 산업은 끊임없는 미세화 기술의 한계에 도전하고 있습니다. 현재 7나노미터 이하 공정의 주역인 극자외선(EUV) 노광 기술은 이제 다음 단계인 High-NA EUV 시대로의 전환을 눈앞에 두고 있습니다. 2026년은 주요 반도체 제조사들이 이 차세대 장비를 양산 라인에 본격적으로 도입하거나 연구개발을 완료하는 중요한 변곡점이 될 전망입니다. 이번 글에서는 High-NA EUV 공정의 본질적 가치와 이와 관련된 국내 핵심 부품 및 소재 수혜주를 상세히 분석해 보겠습니다.

High-NA EUV 노광 공정의 개념과 산업적 가치

노광 공정은 반도체 웨이퍼 위에 빛을 이용해 미세한 회로 패턴을 그리는 단계입니다. High-NA(High Numerical Aperture) EUV는 기존 EUV 장비보다 렌즈의 개구수(NA)를 0.33에서 0.55로 높인 차세대 장비입니다. 렌즈가 빛을 모으는 능력을 상징하는 개구수가 커질수록 더 정밀한 회로를 그릴 수 있는 해상력이 향상됩니다.

High-NA EUV 기술의 핵심 가치는 다음과 같습니다.

  • 해상력 향상: 기존 대비 약 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능해 2나노미터 이하의 초미세 공정을 구현하는 유일한 해법으로 꼽힙니다.
  • 공정 단순화: 기존 EUV에서 여러 번 나누어 찍어야 했던 패턴(멀티 패터닝)을 단 한 번의 노광(싱글 패터닝)으로 해결할 수 있어 생산 효율성이 극대화됩니다.
  • 집적도 증가: 동일 면적 내에 약 2.9배 더 높은 집적도를 구현할 수 있어 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩 성능 향상에 필수적입니다.

핵심 소재 및 부품별 관련 종목 정리

High-NA EUV 공정은 광원의 파장은 유지하되 렌즈 시스템이 대형화되고 정밀해지는 변화를 겪습니다. 이 과정에서 기존 소재의 한계를 극복하기 위한 새로운 부품과 소재의 수요가 급증합니다.

1. 펠리클 및 포토마스크 관련주

EUV 공정에서 펠리클은 포토마스크를 먼지로부터 보호하는 박막입니다. High-NA 환경에서는 빛의 투과율과 내열성이 더욱 중요해집니다.

  • 에스앤에스텍 (코스닥): 국내 최초로 EUV 펠리클 양산 준비를 마친 기업입니다. High-NA 공정용 고투과율 투과막 기술력을 보유하고 있어 직접적인 수혜가 기대됩니다.
  • 에프에스티 (코스닥): EUV 펠리클 및 관련 검사 장비를 개발 중이며, 글로벌 소자 업체와의 협력을 통해 공급망 진입을 노리고 있습니다.

2. 포토레지스트(PR) 및 세정 소재 관련주

회로를 그릴 때 도포하는 감광액인 포토레지스트는 더 얇고 정밀한 패턴 형성을 위해 무기물 기반 PR 등으로 진화하고 있습니다.

  • 동진쎄미켐 (코스닥): 삼성전자와의 협력을 통해 EUV용 포토레지스트 국산화에 성공했으며, 차세대 High-NA용 소재 개발에서도 선두 주자로 평가받습니다.
  • 솔브레인 (코스닥): 초미세 공정용 식각액 및 세정액 공급사로, 공정 단계가 복잡해질수록 고순도 화학물질의 수요가 늘어나는 구조적 수혜를 입습니다.

3. 부품 및 주변 장비 관련주

High-NA 장비는 기존보다 전력 소모량이 20% 이상 높고 발열 관리가 매우 까다롭습니다. 이를 제어하기 위한 부품사들의 역할이 커집니다.

  • 주성엔지니어링 (코스닥): 원자층 증착(ALD) 장비 분야의 강자로, High-NA 공정에서 요구되는 초미세 박막 증착 수요에 대응합니다.
  • 파크시스템스 (코스닥): 원자현미경(AFM) 전문 기업으로, 2나노 이하 공정에서 발생하는 미세 결함을 측정하기 위한 필수 장비를 공급합니다.
  • 한미반도체 (코스피): 직접적인 노광 장비 부품은 아니지만, High-NA EUV 도입으로 촉발되는 초고성능 AI 반도체(HBM 등) 후공정 밸류체인에서 핵심적인 역할을 수행합니다.

차세대 기술 트렌드 및 미래 전망

High-NA EUV의 도입은 단순한 장비 교체를 넘어 반도체 생태계 전반의 변화를 의미합니다.

첫째, 무기물 포토레지스트(Inorganic PR)의 부상입니다. 기존 유기물 기반 PR은 미세 패턴 구현 시 무너짐 현상이 발생할 수 있으나, 무기물 PR은 해상력이 뛰어나 High-NA 공정의 필수 소재로 자리 잡을 전망입니다.

둘째, 펠리클 투과율 90% 이상의 한계 돌파입니다. High-NA는 빛의 손실이 크기 때문에 펠리클의 투과율을 극단적으로 높여야 합니다. 이를 위해 탄소나노튜브(CNT) 등 신소재를 활용한 펠리클 연구가 활발히 진행 중입니다.

셋째, 메모리 반도체 적용 확대입니다. 과거 EUV는 파운드리에 주로 쓰였으나, 2025~2026년을 기점으로 SK하이닉스와 삼성전자가 D램 생산(1c 나노미터 이하)에 High-NA EUV를 본격 도입하면서 메모리 시장의 기술 장벽이 한층 높아질 것입니다.

직접 분석: 장비 도입 일정과 투자 시점의 관계

실제 데이터를 통해 분석해 보면, ASML의 High-NA EUV 장비인 EXE:5000 및 EXE:5200 모델은 대당 가격이 약 5,000억 원에 달합니다. 인텔이 가장 먼저 연구용 장비를 도입했고, 삼성전자와 SK하이닉스 역시 2025년 말에서 2026년 사이 양산용 장비를 반입할 계획입니다.

투자자 입장에서 주목해야 할 점은 장비 반입 시점보다 소모품 및 부품사의 실적 반영 시점입니다. 장비는 한 번 설치되면 수년간 사용되지만, 펠리클과 PR 같은 소모품은 양산이 시작되는 시점부터 실적이 기하급수적으로 늘어납니다. 따라서 2026년 양산 본격화를 앞두고 2025년 하반기부터 관련 소재 기업들의 테스트 통과 여부와 공급 계약 공시를 면밀히 살펴야 합니다.

투자 포인트 및 결론

High-NA EUV 테마는 단기적인 유행이 아닌, 반도체 산업의 생존이 걸린 장기적 패러다임 변화입니다. 투자 시 고려해야 할 핵심 포인트는 다음과 같습니다.

  1. 기술적 진입 장벽: 일반적인 부품사가 아닌, 글로벌 소자 업체(삼성, TSMC, SK하이닉스)의 퀄 테스트를 통과한 독보적 기술력을 가진 기업에 집중해야 합니다.
  2. 국산화 수혜: 공급망 안정화를 위해 국내 소자 업체들은 핵심 소재의 국산화율을 높이려 하고 있습니다. 특히 일본 의존도가 높았던 포토레지스트와 펠리클 분야의 국내 선도 기업들이 유리합니다.
  3. 전방 산업의 수요: AI 반도체 수요가 견조한 한, 미세 공정 경쟁은 멈추지 않을 것이며 이는 High-NA EUV 생태계의 확장을 담보합니다.

결론적으로 High-NA EUV 수혜주는 2026년 반도체 업황의 '질적 성장'을 주도할 핵심 포트폴리오가 될 것입니다. 기술 변화의 흐름을 읽고 선제적으로 대응하는 전략이 필요합니다.

면책조항: 본 포스팅은 정보 제공만을 목적으로 하며, 특정 종목에 대한 매수 또는 매도 권유가 아닙니다. 모든 투자에 대한 최종 판단과 책임은 투자자 본인에게 있으며, 시장 상황에 따라 본문의 내용은 실제 사실과 다를 수 있습니다.